| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 3.1A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.13W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTHD4508NT1GOSTR |
产品型号:nthd4508nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75最大漏极电流id(on)(a):4通道极性:n沟道封装/温度(℃):chipfet /-55~150描述:20 v, 4.1 a功率mosfet价格/1片(套):￥2.40 来源:xiangxueqin ...
