您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > nthd4401pt1g

NTHD4401PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C155 毫欧 @ 2.1A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds300pF @ 10V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)其它名称NTHD4401PT1GOSNTHD4401PT1GOS-NDNTHD4401PT1GOSTR

“NTHD4401PT1G”技术资料

  • NTHD4401PT1G的技术参数

    产品型号:nthd4401pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:p封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:20v,3a,p沟道双mosfet价格/1片(套):¥4.50 来源:xiangxueqin ...

nthd4401pt1g的相关型号: