描述 | MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 155 毫欧 @ 2.1A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V |
功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTHD4401PT1GOSNTHD4401PT1GOS-NDNTHD4401PT1GOSTR |
产品型号:nthd4401pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):155最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:p封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:20v,3a,p沟道双mosfet价格/1片(套):¥4.50 来源:xiangxueqin ...
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