| 描述 | MOSFET N/P-CH SC-88-6 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 8V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 400mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
【ON Semiconductor】NTJD2152PT1G,MOSFET 2P-CH 8V 775MA SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD2152PT2,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD2152PT2G,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD2152PT4,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD2152PT4G,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD3158CT1G,MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY