您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ntjd3158ct1g

NTJD3158CT1G

描述MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY漏极连续电流+ 0.63 A, - 0.82 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)375 mOhms at 4.5 V at N Channel, 300 mOhms at 4.5 V at P Channel配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SC-88-6封装Reel
下降时间227 ns, 6.5 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散270 mW上升时间227 ns, 6.5 ns
工厂包装数量3000典型关闭延迟时间786 ns, 13.5 ns

ntjd3158ct1g的相关型号: