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NTJD4105CT1

制造商：ON Semiconductor(ON Semiconductor,ON Semiconductor)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V, - 8 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V, +/- 8 V

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产品属性关于ON Semiconductor(ON Semiconductor,ON Semiconductor)

描述	MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A	漏极连续电流	630 mA, - 775 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.29 Ohms at 4.5 V, 0.22 Ohms at - 4.5 V	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6	封装	Reel
下降时间	506 nS, 36 nS	正向跨导 gFS（最大值/最小值）	2 S, 2 S
栅极电荷 Qg	1.3 nC, 2.2 nC	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	270 mW	上升时间	227 nS, 23 nS
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	786 nS, 50 nS

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