| 描述 | MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V，8V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 630mA，775mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 375 毫欧 @ 630mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 46pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 270mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTJD4105CT1GOSNTJD4105CT1GOS-NDNTJD4105CT1GOSTR |
产品型号:ntjd4105ct1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):200最大漏极电流id(on)(a):0.775通道极性:n/p沟道封装/温度(℃):sot-363/-55 ~150描述:小信号20v/-8v ，+0.63a/-0.775a mosfet价格/1片(套):￥1.90 来源:xiangxueqin ...
【ON Semiconductor】NTJD4105CT2G,MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4105CT4G,MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4152PT1,MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4152PT1G,MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4158CT1G,MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
