描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 250mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 10mA,4V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.5V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.3nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 33pF @ 5V |
功率 - 最大 | 272mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NTJD4105CT1G,MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4105CT2G,MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4105CT4G,MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4152PT1,MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4152PT1G,MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363