| 描述 | MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 8V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 775mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 300 毫欧 @ 570mA，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 225pF @ 8V |
| 功率 - 最大 | 270mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NTJD2152PT4G,MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD3158CT1G,MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY
【ON Semiconductor】NTJD4001NT1,MOSFET N-CHAN SS DUAL 30V SOT363
【ON Semiconductor】NTJD4001NT1G,MOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363
【ON Semiconductor】NTJD4105CT1G,MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363