| 描述 | NTMC083NP10M5L | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A（Ta），4.1A（Tc），2.4A（Ta），3.3A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 83 毫欧 @ 1.5A，10V，131 毫欧 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 5nC @ 10V，8.4nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 222pF @ 50V，525pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 1.6W（Ta），3.1W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
【ON Semiconductor】NTMC1300R2,MOSFET N/P-CH DUAL 3A 30V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD2C02R2,MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD2C02R2G,MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD2C02R2SG,MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC
【ON Semiconductor】NTMD2P01R2,MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD2P01R2G,MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC
