| 描述 | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.2A，3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 43 毫欧 @ 4A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTMD2C02R2OS |
【ON Semiconductor】NTMD2C02R2G,MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD2C02R2SG,MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC
【ON Semiconductor】NTMD2P01R2,MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD2P01R2G,MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC
【ON Semiconductor】NTMD3P03R2G,MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC