| 描述 | PT11N 30/12 & PT11N 30/12 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V，25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Ta），30A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 20A，10V，0.72 毫欧 @ 41A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 340μA，2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 9nC，30nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400pF @ 15V，5050pF @ 13V |
| 功率 - 最大值 | 960mW（Ta），1.04W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
