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  • NTMFS4119NT3G

NTMFS4119NT3G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FLFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 毫欧 @ 29A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds4800pF @ 24V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)供应商设备封装6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装带卷 (TR)

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