描述 | MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3.5 毫欧 @ 29A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4800pF @ 24V |
功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线) | 供应商设备封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】NTMFS4120NT1G,MOSFET 30V 31A Single N-Channel
【ON Semiconductor】NTMFS4120NT3G,MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4121NT3G,MOSFET N-CHAN 17A 30V SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4122NT3G,MOSFET N-CHAN 14A 30V SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4701NT1G,MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4701NT3G,MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL