| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 180 毫欧 @ 1.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.5nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 165pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 400mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTR1P02T1GOSTR |
产品型号:ntr1p02t1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):180最大漏极电流id(on)(a):1通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-23 /-55 ~150描述:-20 v, -1 a,双功率mosfet价格/1片(套):￥1.20 来源:xiangxueqin ...
