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  • NTTS2P02R2G

NTTS2P02R2G

描述MOSFET 20V 2.4A P-Channel漏极连续电流- 2.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.09 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体Micro-8封装Reel
下降时间40 ns, 31 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散0.78 W上升时间40 ns, 31 ns
工厂包装数量4000典型关闭延迟时间35 ns, 33 ns

“NTTS2P02R2G”技术资料

  • NTTS2P02R2G的技术参数

    产品型号:ntts2p02r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):90最大漏极电流id(on)(a):3.250通道极性:p沟道封装/温度(℃):micro8/-55 ~150描述:-2.4 a, -20 v 双功率mosfet价格/1片(套):¥3.00 来源:xiangxueqin ...

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