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  • NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.099
  • 8000$0.093
  • 12000$0.087
  • 28000$0.0798
  • 100000$0.075
描述MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT-563FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C430mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C900 毫欧 @ 430mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds175pF @ 16V
功率 - 最大250mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)其它名称NTZD3152PT1GOSTR

“NTZD3152PT1G”技术资料

  • NTZD3152PT1G的技术参数

    产品型号:ntzd3152pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):900最大漏极电流id(on)(a):0.430通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-563/-55 ~150描述:-20 v, -430 ma 双功率mosfet价格/1片(套):¥1.80 来源:xiangxueqin ...

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