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  • NTZD3156CT2G

NTZD3156CT2G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N/P-CH 20V SOT-563FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C540mA,430mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C550 毫欧 @ 540mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds72pF @ 16V
功率 - 最大250mW安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)

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