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NZT660_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation直流集电极/Base Gain hfe Min70
配置Single Dual Collector最大工作频率75 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-223封装Reel
集电极连续电流3 A最小工作温度- 55 C
功率耗散2 W

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