描述 | 光电二极管 PN Junction Silicon Photodiode | 上升时间 | 6 ns |
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下降时间 | 6 ns | 半强度角度 | 8 deg |
封装 / 箱体 | T-1 | 暗电流 | 10 nA |
最大工作温度 | + 70 C | 最小工作温度 | - 30 C |
安装风格 | Through Hole | 光电流 | 50 uA |
功率耗散 | 20 mW | 工厂包装数量 | 100 |
【Lumex】OED-SPR472L140,光电二极管 T-4x7mm Rt Ang Flat Surface Photodiode
【Lumex】OED-SR-105F,Phototransistors Refl. Photo Sensor Rt. Angle Leads
【Lumex】OED-ST-1556SN,Phototransistors IR 900nm Clear Phototransistor
【Lumex】OED-ST-15-TR,Phototransistors Phototransistor Water Clear Lens
【Lumex】OED-ST-1L1,Phototransistors T5mm Phototransistor Water Clear Lens