| 描述 | PBSS8110T-Q/SOT23/TO-236AB | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 100mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 150 @ 250mA，10V | 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
【NXP Semiconductors】PBSS8110X /T3,Transistors Bipolar (BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-13
【NXP Semiconductors】PBSS8110X,135,TRANS NPN 100V 1A LOW SAT SOT89
【NXP Semiconductors】PBSS8110Y T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS8110Z /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-13
