| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 PWR-MOS | 封装 | Reel - 13 in |
|---|---|---|---|
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 166000 mW |
| 工厂包装数量 | 2500 | 零件号别名 | PHD101NQ03LT,118 |
【NXP Semiconductors】PHD101NQ03LT,118,MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD108NQ03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHD108NQ03LT,118,MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD110NQ03LT,118,MOSFET N-CH 25V 75A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD13005AD,127,TRANSISTOR NPN BIPO 700V SOT428