| 描述 | TRANSISTOR NPN BIPO 700V SOT428 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 4A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 700V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | - |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | - |
| 功率 - 最大 | - | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak | 包装 | 管件 |
【NXP Semiconductors】PHD14NQ20T,118,MOSFET N-CH 200V 14A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD16N03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) RAIL PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHD16N03LT,118,MOSFET N-CH 30V 16A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD16N03T /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD16N03T,118,MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD18NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK