描述 | MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13.1A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 13A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.2nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 180pF @ 30V |
功率 - 最大 | 32.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934057666118PHD16N03T /T3PHD16N03T /T3-ND |
【NXP Semiconductors】PHD18NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
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【NXP Semiconductors】PHD21N06LT,118,MOSFET N-CH 55V 19A SOT428
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