| 描述 | MOSFET N-CH 55V 19A SOT428 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 70 毫欧 @ 10A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9.4nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 56W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934055349118PHD21N06LT /T3PHD21N06LT /T3-ND |
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