| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) RAIL PWR-MOS | 封装 | Reel |
|---|---|---|---|
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 150000 mW |
| 工厂包装数量 | 2500 | 零件号别名 | PHD22NQ20T,118 |
【NXP Semiconductors】PHD22NQ20T,118,MOSFET N-CH 200V 21.1A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD23NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 23A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD3055E,118,MOSFET N-CH 60V 10.3A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD33NQ20T,118,IC INTERFACE HDMI 38TSSOP
【NXP Semiconductors】PHD34NQ10T /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD34NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD36N03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD36N03LT,118,MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK