| 描述 | MOSFET N-CH 200V 21.1A SOT428 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 120 毫欧 @ 12A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30.8nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1380pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934058112118PHD22NQ20T /T3PHD22NQ20T /T3-ND |
【NXP Semiconductors】PHD23NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 23A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD3055E,118,MOSFET N-CH 60V 10.3A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD33NQ20T,118,IC INTERFACE HDMI 38TSSOP
【NXP Semiconductors】PHD34NQ10T /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD34NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD36N03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD36N03LT,118,MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK