| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90 毫欧 @ 9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 21nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 633pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 79W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
【NXP Semiconductors】PHD20N06T /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD20N06T,118,MOSFET N-CH 55V 18A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD21N06LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRENCH-55
【NXP Semiconductors】PHD21N06LT,118,MOSFET N-CH 55V 19A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD22NQ20T /T3,Transistors Bipolar (BJT) RAIL PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHD22NQ20T,118,MOSFET N-CH 200V 21.1A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD23NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 23A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD3055E,118,MOSFET N-CH 60V 10.3A SOT428