描述 | MOSFET N-CH 200V 14A SOT428 | FET 特点 | 标准型 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 230 毫欧 @ 7A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 125W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934057072118PHD14NQ20T /T3PHD14NQ20T /T3-ND |
【NXP Semiconductors】PHD16N03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) RAIL PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHD16N03LT,118,MOSFET N-CH 30V 16A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD16N03T /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD16N03T,118,MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD18NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD20N06T /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD20N06T,118,MOSFET N-CH 55V 18A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD21N06LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRENCH-55