| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) RAIL PWR-MOS | 封装 | Reel - 13 in |
|---|---|---|---|
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 32600 mW |
| 工厂包装数量 | 2500 | 零件号别名 | PHD16N03LT,118 |
【NXP Semiconductors】PHD16N03LT,118,MOSFET N-CH 30V 16A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD16N03T /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD16N03T,118,MOSFET N-CH 30V 13.1A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD18NQ10T,118,MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD20N06T /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 MOSFET
【NXP Semiconductors】PHD20N06T,118,MOSFET N-CH 55V 18A SOT428
【NXP Semiconductors】PHD21N06LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRENCH-55
【NXP Semiconductors】PHD21N06LT,118,MOSFET N-CH 55V 19A SOT428