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  • PHD108NQ03LT,118

PHD108NQ03LT,118

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 75A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 25A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs16.3nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1375pF @ 12V
功率 - 最大187W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)其它名称934056957118PHD108NQ03LT /T3PHD108NQ03LT /T3-ND

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