| 宽度 | 6.22mm | 封装类型 | DPAK |
|---|---|---|---|
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | 引脚数目 | 3 |
| 最低工作温度 | -55 °C | 最大功率耗散 | 166000 mW |
| 最大栅源电压 | 20 V | 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.006 | 最大连续漏极电流 | 75 A |
| 最高工作温度 | +175 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | N | 配置 | 单 |
| 长度 | 6.73mm | 高度 | 2.38mm |
【NXP Semiconductors】PHD101NQ03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHD101NQ03LT,118,MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD108NQ03LT /T3,Transistors Bipolar (BJT) TAPE13 PWR-MOS
【NXP Semiconductors】PHD108NQ03LT,118,MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
【NXP Semiconductors】PHD110NQ03LT,118,MOSFET N-CH 25V 75A SOT428
