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PHK4NQ10T /T3

描述MOSFET TAPE13 PWR-MOS漏极连续电流4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.07 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SO-8封装Reel - 13 in
下降时间12 ns最小工作温度- 65 C
功率耗散2.5 W上升时间13 ns
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间26 ns
零件号别名PHK4NQ10T,518

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