描述 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 漏极连续电流 | 4 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.13 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SO-8 | 封装 | Reel - 13 in |
下降时间 | 14 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 6.25 W | 上升时间 | 10 ns |
工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
零件号别名 | PHK4NQ20T,518 |
【NXP Semiconductors】PHK4NQ20T,518,MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
【NXP Semiconductors】PHK5NQ15T,518,MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1
【NXP Semiconductors】PHKD13N03LT,118,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC
【NXP Semiconductors】PHKD13N03LT,518,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC
【NXP Semiconductors】PHKD3NQ10T,518,MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
【NXP Semiconductors】PHKD6N02LT,518,MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1