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  • PHK4NQ20T,518

PHK4NQ20T,518

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 4A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1230pF @ 25V
功率 - 最大6.25W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)其它名称934057303518PHK4NQ20T /T3PHK4NQ20T /T3-ND

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