| 描述 | MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 130 毫欧 @ 4A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1230pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 6.25W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | 934057303518PHK4NQ20T /T3PHK4NQ20T /T3-ND |
【NXP Semiconductors】PHK5NQ15T,518,MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1
【NXP Semiconductors】PHKD13N03LT,118,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC
【NXP Semiconductors】PHKD13N03LT,518,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC
【NXP Semiconductors】PHKD3NQ10T,518,MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
【NXP Semiconductors】PHKD6N02LT,518,MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1