您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > phm21nq15t,518
  • PHM21NQ15T,518

PHM21NQ15T,518

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 150V 22.2A SOT685-1FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C22.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs36.2nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds2080pF @ 25V
功率 - 最大62.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘供应商设备封装8-HVSON
包装带卷 (TR)其它名称934057305518PHM21NQ15T /T3PHM21NQ15T /T3-ND

phm21nq15t,518的相关型号: