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  • PMGD400UN,115

PMGD400UN,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C710mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C480 毫欧 @ 200mA,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs0.89nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds43pF @ 25V
功率 - 最大410mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装6-TSSOP
包装带卷 (TR)其它名称PMGD400UN115-CHP

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