描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V | 漏极连续电流 | 6 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.019 Ohms | 配置 | Dual Dual Source |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | TSSOP-8 | 封装 | Reel |
下降时间 | 33 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 3.1 W | 上升时间 | 22 ns |
工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
零件号别名 | PMWD16UN,518 |
【NXP Semiconductors】PMWD16UN,518,MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
【NXP Semiconductors】PMWD19UN,518,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP
【NXP Semiconductors】PMWD20XN,118,MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
【NXP Semiconductors】PMWD26UN,518,MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP
【NXP Semiconductors】PMWD30UN,518,MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP