| 描述 | TRANSISTOR GP PNP 60V TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 800mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1V @ 100mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 10mA，10V |
| 功率 - 最大 | 625mW | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】PN4355_D26Z,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】PN4355_D27Z,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】PN4355_D74Z,Transistors Bipolar (BJT) PNP Gen Purp Amp
【Fairchild Semiconductor】PN4355_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Central Semiconductor】PN4356,Transistors Bipolar (BJT) PNP Gen Pur SW
【Fairchild Semiconductor】PN4356_D26Z,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose