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  • PSMN040-200W,127

PSMN040-200W,127

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 50A SOT429FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 25A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs183nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds9530pF @ 25V
功率 - 最大300W安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3供应商设备封装TO-247-3
包装管件其它名称934055781127PSMN040-200WPSMN040-200W-ND

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