| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.3 毫欧 @ 25A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9900pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 338W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | 568-8596-5 |
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-100PS,127,MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-30BL,118,MOSFET N CH 30V 100A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-30PL,127,MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-80ES,127,MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 120A TO220
【NXP Semiconductors】PSMN4R4-30MLC,115,MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33