| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 238 毫欧 @ 1A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 77pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.25W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | TSMT6 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
