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RF1S50N06SM9A

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.022 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263AB
封装Reel下降时间13 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散131 W
上升时间55 ns工厂包装数量800
典型关闭延迟时间37 ns

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