| 描述 | MOSFET TO-251 P-Ch Power | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.2 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 下降时间 | 20 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 65 W | 上升时间 | 50 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
【Fairchild Semiconductor】RFD10P03LSM,MOSFET TO-252AA P-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD12N06RLE,MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
【Fairchild Semiconductor】RFD12N06RLESM9A,MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05_Q,MOSFET TO-251AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05L,MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05L_Q,MOSFET TO-251AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05LSM,MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA