| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 107 毫欧 @ 8A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V | 功率 - 最大 | 38W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LE_Q,MOSFET TO-251AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LE_R4821,MOSFET N-Ch Power MOSFET
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM,MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM_Q,MOSFET TO-252AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM9A,MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】RFD3055SM_Q,MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm
【Fairchild Semiconductor】RFD3055SM9A,MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
