| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 134 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 110pF @ 10V | 功率 - 最大 | 1.25W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | TSMT6 | 包装 | 带卷 (TR) |
