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  • SH8M11TB1

SH8M11TB1

  • 制造商:-
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  • 价格:2,500 : ¥2.50546卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP技术MOSFET(金属氧化物)
配置N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)98 毫欧 @ 3.5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.9nC @ 5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)85pF @ 10V
功率 - 最大值2W工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP

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