您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > sh8m2tb1
  • SH8M2TB1

SH8M2TB1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.319
  • 5000$0.297
  • 10000$0.286
  • 25000$0.275
描述MOSFET N/P-CH 30V SOP8FET 型N 和 P 沟道
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C83 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds140pF @ 10V功率 - 最大2W
安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP包装带卷 (TR)
其它名称SH8M2TB1TR

sh8m2tb1的相关型号: