您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > sh8m3tb1
  • SH8M3TB1

SH8M3TB1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.3682
  • 5000$0.34979
  • 10000$0.33533
  • 25000$0.32612
描述MOSFET N/P-CH 30V SOP8系列-
FET 型N 和 P 沟道FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A,4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C51 毫欧 @ 5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs3.9nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds230pF @ 10V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)其它名称SH8M3TB1TR

sh8m3tb1的相关型号: