描述 | MOSFET N/P-CH 30V SOP8 | 系列 | - |
---|---|---|---|
FET 型 | N 和 P 沟道 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5A,4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 51 毫欧 @ 5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 230pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SH8M3TB1TR |