| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 660mA，410mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 385 毫欧 @ 660ma，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 600mV @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 功率 - 最大 | 270mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SC-70-6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI1553DL-T1-GE3TR |
