| 描述 | MOSFET N/P-Ch 12V 1.0/0.56A | 漏极连续电流 | 1.3 A, 0.86 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.235 Ohms at 4.5 V, 0.535 Ohms at - 4.5 V | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-363-6 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 10 nS, 10 nS | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 0.8 S, 1.2 S |
| 栅极电荷 Qg | 0.8 nC, 1.1 nC | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 600 mW | 上升时间 | 25 nS, 30 nS |
| 工厂包装数量 | 3000 | 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 25 nS, 15 nS |
