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  • SI1926DL-T1-GE3

SI1926DL-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:112现货
  • 价格:1 : ¥3.26000剪切带(CT)3,000 : ¥1.16445卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)370mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.4 欧姆 @ 340mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.4nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)18.5pF @ 30V
功率 - 最大值510mW工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SC-70-6

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